Name: Vishay Siliconix SI4835BDY-T1-E3
Brand: Vishay Siliconix
SKU: SI4835BDY-T1-E3
Availability: InStock
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Vishay Siliconix SI4835BDY-T1-E3

Artikelnummer:

SI4835BDY-T1-E3

Hersteller / Marke:

Vishay / Siliconix

Teil der Beschreibung.:

MOSFET P-CH 30V 7.4A 8SO

Datenblätte:

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Spezifikationen
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Versandinformationen
Verpackung

~~Vishay Siliconix SI4835BDY-T1-E3 Technische Spezifikationen, Attribute, Parameter und Teile mit ähnlichen Spezifikationen wie Texas Instruments SI4835BDY-T1-E3.~~

Produkteigenschaften	Eigenschaften
VGS (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Vgs (Max)	±25V
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse	8-SOIC
Serie	TrenchFET®
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 9.6A, 10V
Verlustleistung (max)	1.5W (Ta)
Verpackung / Gehäuse	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Paket	Tape & Reel (TR)
Betriebstemperatur	-55°C ~ 150°C (TJ)

Produkteigenschaften	Eigenschaften
Befestigungsart	Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	37 nC @ 5 V
Typ FET	P-Channel
FET-Merkmal	-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Drain-Source-Spannung (Vdss)	30 V
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C	7.4A (Ta)
Grundproduktnummer	SI4835
SI4835BDY-T1-E3 Einzelheiten PDF [English]	SI4835BDY-T1-E3 PDF - EN.pdf

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Rückgaben werden nach 60 Tagen nicht akzeptiert.Zurückgegebene Elemente müssen in Originalverpackungen und einem realierbaren Zustand sein.Rückgaben aufgrund von Kundenfehlern zum Zeitpunkt des Angebots oder des Kaufs werden nicht akzeptiert.Wenden Sie sich vor dem Versand an den Kundendienst für die Rücksendung der Genehmigung.

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